RTQ025P02TR دیتاشیت

RTQ025P02TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RTQ025P02TR
حجم فایل 37.107 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت RTQ025P02TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RTQ025P02TR
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.4nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 580pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@4.5V,2.5A
  • Package: TSMT-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه